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人参与 | 时间：2026-06-18 11:29:25
预计下半年搭载于H200及后续GPU中。存通过英工作 来源：三星官方新闻
单颗容量达36GB，伟达HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，认证通过优化热管理工艺和先进的加速硅通孔技术，此举将打破SK海力士在HBM市场的负载垄断格局，三星表示，部署目前三星已开始向英伟达批量供货，存通为全球AI芯片供应链提供更多选择。过英工作该产品采用12层堆叠设计，伟达数据传输速率高达9.6Gbps，认证三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的加速认证测试，业内分析认为，负载相比上一代HBM3能效提升约20%。部署显著降低延迟。存通将用于下一代AI加速器的关键内存栈。 顶: 945踩: 6
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